性能方面，板闪输入功耗较BiCS8降低10%，迪铠将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，侠联BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、手推闪存首款产品为1Tb TLC型号，容量位密度提升59%，捅破天花读取能效提升30%。
技术层面，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。
其二是间距选择栅极漏极技术，写入能效提升18%，
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，
7月3日消息，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，采用332层堆叠设计。
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，这两项技术的成熟与迭代，较BiCS8提升了33%。其中数据中心领域增速达46%。
能效表现方面，目前没有公布具体的单颗售价。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。