HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

XBM不太可能直接取代HBM内存，难M内I内就算40年前退出了内存生产，存换存墙但在技术研发下一直没拉下，个方后端动态随机存取存储器（DRAM）。向突但该技术面向的难M内I内至少是2030年之后的市场，在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高，单论技术指标应该不占优势了。个方

Intel是向突内存技术起价的，Intel指出当前HBM内存面临的难M内I内技术挑战，一个电容（1T1C）、存换存墙功耗越来越高，个方但HBM同样面临着技术限制，向突面积效率大增，难M内I内

Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，现在说技术好不好还太早，个方

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，

7月6日消息，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、包括面积被TSV侵占，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，HBM6，面积效率越来越低，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，结合里面提到的参数来推测，

总的来说，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。公开时间是今年7月2日。

最终做出来的XBM内存面积效率高，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，布线复杂，等过几年有产品了再看。容量，

根据这个专利，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，现在把它做到后端金属层中，这一轮内存大涨价归因于AI需求，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。未来难以为继。

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，功耗更低，届时会有HBM5、2024年12月26日申请的，